GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXTN40P50P |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor -500V -40A SOT227B Ugs ±30V Idm -120A - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | -500V |
| Proud drainu | -40A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 230mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | -120A |
| Ztrátový výkon | 890W |
| Technologie | PolarP™ |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 205nC |
| Doba zotavení | 477ns |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |