GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXTN170P10P |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 300 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor -100V -170A SOT227B Ugs ±30V 890W - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | -100V |
| Proud drainu | -170A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 14mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | -510A |
| Ztrátový výkon | 890W |
| Technologie | PolarP™ |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 240nC |
| Doba zotavení | 176ns |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |