- Baterie a akumulátory
- Napájecí zdroje
- Kabely a konektory
- Solární technika
- Redukce a konvertory
- Nářadí, nástroje
- Zesilovače GSM
- Bezpečnostní technika
- Mobilní příslušenství
- Příslušenství počítačů
-
Elektronické součástky
- Rezistory
- Kondenzátory
- Indukčnosti-Tlumivky
- Komponenty pro výrobu cívek
- Krystaly,Oscilátory,Rezonátory
- Frekvenční filtry
- Kolíčky,Očka,dutinky
- Pojistky, Přepěťové ochrany
- Transformátory
- Diody, Usměrňovací můstky
- Tranzistory
- Tyristory, Triaky, Diaky
- Integrované obvody
- Senzory neelektrických veličin
- Optosoučástky
- Displeje, Touchscreeny
- Akustické měniče, Reproduktory
- Ventilátory
- Chladiče, Peltierovy články
- Motory, Servomechanismy
- Relé, Stykače a Mag. Kontakty
- Mechanické spínací prvky
- Konektory, redukce
- Svorkovnice
- Vodiče a kabely
- Mech. konstrukční komponenty
- Konstrukční krabičky a boxy
- Účelové konstrukční moduly
- Programátory, Mazačky EPROM
- Diskrétní polovodičové moduly
- Příslušenství k polovodičům
- Generátory vysokého napětí
- Chladící a topné systémy
- Krab. pro popl. zaříz. a čidla
- Enkodery
- Komponenty EMI/EMC
- Jednodeskové počítače
- Příslušenství pro embed.
- Elektroinstalační materiál
- Mining
- Chemie DPS
- Hračky, stavebnice
- Měřící přístroje
- Osvětlovací technika
- Domov, Kancelář
- Ochranné pomůcky
- Mechanické prvky
- Automatizační technika
- Robotika
- Ostatní
- Výprodej
Nákupní košík
Přihlášení do obchodu
GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 86A SP6 Ugs ±30V Idm 464A
MICROCHIP (MICROSEMI) APTM120U10SCAVG - Tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPTM120U10SCAVG |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 3 |
| Výrobce: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Popis produktu
Modul dioda SiC/tranzistor 1,2kV 86A SP6 Ugs ±30V Idm 464A - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda SiC/tranzistor |
| Napětí drain-source | 1.2kV |
| Proud drainu | 86A |
| Pouzdro | SP6 |
| Topologie | jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Odpor v sepnutém stavu | 120mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 464A |
| Ztrátový výkon | 3.29kW |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Technologie | SiC |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |