GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPTM120U10SAG |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 4 |
| Výrobce: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dioda/tranzistor 1,2kV 86A SP6C Ugs ±30V Idm 464A - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda/tranzistor |
| Napětí drain-source | 1.2kV |
| Proud drainu | 86A |
| Pouzdro | SP6C |
| Topologie | jeden tranzistor + sériová dioda + paralelní dioda |
| Elektrická montáž | konektory FASTON |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Odpor v sepnutém stavu | 120mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 464A |
| Ztrátový výkon | 3.29kW |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |