GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPTM10DSKM09T3G |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 12 |
| Výrobce: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dioda/tranzistor 100V 100A SP3 Ugs ±30V Press-in PCB - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda/tranzistor |
| Napětí drain-source | 100V |
| Proud drainu | 100A |
| Pouzdro | SP3 |
| Topologie | buck chopper x2 |
| Topologie | termistor NTC |
| Elektrická montáž | Press-in PCB |
| Odpor v sepnutém stavu | 10mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 430A |
| Ztrátový výkon | 390W |
| Technologie | POWER MOS 5® |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |