GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPTM20DAM08TG |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dioda/tranzistor 200V 155A SP4 Ugs ±30V Idm 832A 781W - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda/tranzistor |
| Napětí drain-source | 200V |
| Proud drainu | 155A |
| Pouzdro | SP4 |
| Topologie | boost chopper |
| Topologie | termistor NTC |
| Elektrická montáž | konektory FASTON |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Odpor v sepnutém stavu | 10mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 832A |
| Ztrátový výkon | 781W |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |