GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPTM50DAM17G |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 6 |
| Výrobce: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul dioda/tranzistor 500V 135A SP6C Ugs ±30V Idm 720A - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | dioda/tranzistor |
| Napětí drain-source | 500V |
| Proud drainu | 135A |
| Pouzdro | SP6C |
| Topologie | boost chopper |
| Elektrická montáž | konektory FASTON |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Odpor v sepnutém stavu | 20mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 720A |
| Ztrátový výkon | 1.25kW |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |