[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT75DH120T3G
Balení:
Minimální množství: 13
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 391.2 Kč (cena s DPH)
1 976.2 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 13+ ks Více
Cena/ks 1 976.18 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 13


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current75A
CaseSP3F
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current175A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew