[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT50DH120TG
Balení:
Minimální množství: 11
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

2 979.6 Kč (cena s DPH)
2 462.5 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 11+ ks Více
Cena/ks 2 462.48 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 11


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current50A
CaseSP4
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingsoldering
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current100A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew