[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT50DH60T1G
Balení:
Minimální množství: 19
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

1 650.3 Kč (cena s DPH)
1 363.9 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 19+ ks Více
Cena/ks 1 363.87 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 19


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage600V
Collector current50A
CaseSP1
Applicationmotors
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current100A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew