[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V

Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT150DH60TG
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

3 228.7 Kč (cena s DPH)
2 668.4 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 600V - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
TopologyNTC thermistor
Max. off-state voltage600V
Collector current150A
CaseSP4
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingsoldering
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current350A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew