[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT150DH120G - IGBT modules
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT150DH120G
Balení:
Minimální množství: 6
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

5 758.0 Kč (cena s DPH)
4 758.7 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 6+ ks Více
Cena/ks 4 758.69 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 6


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.2kV - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current150A
CaseSP6C
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current350A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew