[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.7kV

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT150DH170G - IGBT modules
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT150DH170G
Balení:
Minimální množství: 5
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

7 211.7 Kč (cena s DPH)
5 960.1 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 5+ ks Více
Cena/ks 5 960.11 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 5


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor asymmetrical bridge Urmax 1.7kV - Popis produktu

ManufacturerMICROCHIP (MICROSEMI)
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologyasymmetrical bridge
Max. off-state voltage1.7kV
Collector current150A
CaseSP6C
Electrical mountingFASTON connectors
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current300A
TechnologyField Stop
TechnologyTrench
Mechanical mountingscrew