[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor H-bridge Urmax 1.2kV Ic 125A

IXYS MKI100-12F8 - IGBT modules
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEMKI100-12F8
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

5 049.0 Kč (cena s DPH)
4 172.8 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor H-bridge Urmax 1.2kV Ic 125A - Popis produktu

ManufacturerIXYS
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyH-bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current125A
CaseE3-Pack
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current200A
Power dissipation640W
TechnologyHiPerFRED™
TechnologyNPT
Mechanical mountingscrew