Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

Moduly IGBT

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT jeden tranzistor Urmax 1,2kV Ic 150A SOT227B 660W

IXYS IXDN75N120 - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXDN75N120
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

1 246.0 Kč (cena s DPH)
1 029.7 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 10+ ks Více
Cena/ks 984.79 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT jeden tranzistor Urmax 1,2kV Ic 150A SOT227B 660W - Popis produktu

VýrobceIXYS
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičejeden tranzistor
Max. závěrné napětí1.2kV
Proud kolektoru150A
PouzdroSOT227B
Elektrická montážpřišroubováním
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru190A
Ztrátový výkon660W
TechnologieNPT
Mechanická montážpřišroubováním