GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXDN75N120 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul IGBT jeden tranzistor Urmax 1,2kV Ic 150A SOT227B 660W - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | IGBT |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Max. závěrné napětí | 1.2kV |
| Proud kolektoru | 150A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Napětí hradlo - emitor | ±20V |
| Impulsní proud kolektoru | 190A |
| Ztrátový výkon | 660W |
| Technologie | NPT |
| Mechanická montáž | přišroubováním |