Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

Moduly IGBT

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT


Modul IGBT tranzistor/tranzistor můstek H Urmax 1,2kV SP6C

MICROCHIP (MICROSEMI) APTGT200H120G - Moduly IGBT
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEAPTGT200H120G
Balení:
Minimální množství: 4
Výrobce: MICROCHIP (MICROSEMI)

9 842.8 Kč (cena s DPH)
8 134.5 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 4+ ks Více
Cena/ks 8 134.51 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 4


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Modul IGBT tranzistor/tranzistor můstek H Urmax 1,2kV SP6C - Popis produktu

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ moduluIGBT
Struktura polovodičetranzistor/tranzistor
Topologiemůstek H
Max. závěrné napětí1.2kV
Proud kolektoru200A
PouzdroSP6C
Použitímotory
Elektrická montážkonektory FASTON
Elektrická montážpřišroubováním
Napětí hradlo - emitor±20V
Impulsní proud kolektoru400A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanická montážpřišroubováním