[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT transistor/transistor IGBT half-bridge Ic 900A

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. GD900HFY120P1S - IGBT modules
Dostupnost Jen na objednávku
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEGD900HFY120P1S
Balení:
Minimální množství: 9
Výrobce: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

8 647.8 Kč (cena s DPH)
7 147.0 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 9+ ks Více
Cena/ks 7 146.96 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 9


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT transistor/transistor IGBT half-bridge Ic 900A - Popis produktu

ManufacturerSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Type of moduleIGBT
Semiconductor structuretransistor/transistor
TopologyIGBT half-bridge
Max. off-state voltage1200V
Collector current900A
CaseP1.0
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current1800A
TechnologyAdvanced Trench FS IGBT
Mechanical mountingscrew