- Baterie a akumulátory
- Napájecí zdroje
- Kabely a konektory
- Solární technika
- Redukce a konvertory
- Nářadí, nástroje
- Zesilovače GSM
- Bezpečnostní technika
- Mobilní příslušenství
- Příslušenství počítačů
-
Elektronické součástky
- Rezistory
- Kondenzátory
- Indukčnosti-Tlumivky
- Komponenty pro výrobu cívek
- Krystaly,Oscilátory,Rezonátory
- Frekvenční filtry
- Kolíčky,Očka,dutinky
- Pojistky, Přepěťové ochrany
- Transformátory
- Diody, Usměrňovací můstky
- Tranzistory
- Tyristory, Triaky, Diaky
- Integrované obvody
- Senzory neelektrických veličin
- Optosoučástky
- Displeje, Touchscreeny
- Akustické měniče, Reproduktory
- Ventilátory
- Chladiče, Peltierovy články
- Motory, Servomechanismy
- Relé, Stykače a Mag. Kontakty
- Mechanické spínací prvky
- Konektory, redukce
- Svorkovnice
- Vodiče a kabely
- Mech. konstrukční komponenty
- Konstrukční krabičky a boxy
- Účelové konstrukční moduly
- Programátory, Mazačky EPROM
- Diskrétní polovodičové moduly
- Příslušenství k polovodičům
- Generátory vysokého napětí
- Chladící a topné systémy
- Krab. pro popl. zaříz. a čidla
- Enkodery
- Komponenty EMI/EMC
- Jednodeskové počítače
- Příslušenství pro embed.
- Elektroinstalační materiál
- Mining
- Chemie DPS
- Hračky, stavebnice
- Měřící přístroje
- Osvětlovací technika
- Domov, Kancelář
- Ochranné pomůcky
- Mechanické prvky
- Automatizační technika
- Robotika
- Ostatní
- Výprodej
Nákupní košík
Přihlášení do obchodu
GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
Modul jeden tranzistor 1,1kV 35A SOT227B Ugs ±40V Idm 100A
IXYS IXFN40N110Q3 - Tranzistorové moduly MOSFET
| Centrální sklad i | 2 ks |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXFN40N110Q3 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Popis produktu
Modul jeden tranzistor 1,1kV 35A SOT227B Ugs ±40V Idm 100A - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | 1.1kV |
| Proud drainu | 35A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 260mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 100A |
| Ztrátový výkon | 960W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | Q3-Class |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 300nC |
| Doba zotavení | 434ns |
| Napětí gate-source | ±40V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |