GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEIXTN80N30L2 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | IXYS |
Modul jeden tranzistor 300V 80A SOT227B Ugs ±30V Idm 200A - Popis produktu
| Výrobce | IXYS |
|---|---|
| Typ modulu | tranzistorový MOSFET |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Napětí drain-source | 300V |
| Proud drainu | 80A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Polarizace | unipolární |
| Odpor v sepnutém stavu | 38mΩ |
| Impulsní proud kolektoru | 200A |
| Ztrátový výkon | 735W |
| Technologie | Linear L2™ |
| Druh kanálu | obohacený |
| Náboj hradla | 660nC |
| Doba zotavení | 485ns |
| Napětí gate-source | ±30V |
| Mechanická montáž | přišroubováním |