[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1.7kV 10A 150W TO268HV

IXYS IXBT16N170AHV - SMD IGBT transistors
Centrální sklad i 18 ks
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEIXBT16N170AHV
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: IXYS

427.2 Kč (cena s DPH)
353.1 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 2+ ks 3+ ks Více
Cena/ks 263.20 Kč 249.09 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Transistor IGBT BiMOSFET™ 1.7kV 10A 150W TO268HV - Popis produktu

ManufacturerIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current10A
Power dissipation150W
CaseTO268HV
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
MountingSMD
Gate charge65nC
Kind of packagetube
Turn-on time43ns
Turn-off time370ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage