GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » Unipolární tranzistory » Vícekanálové
| Centrální sklad i | 3582 ks |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEDMG6602SVT-7 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | DIODES INCORPORATED |
Tranzistor N/P-MOSFET unipolární 30/-30V 2,8/-3,4A 1,112W - Popis produktu
| Typ tranzistoru | N/P-MOSFET |
|---|---|
| Polarizace | unipolární |
| Napětí drain-source | 30/-30V |
| Proud drainu | 2.8/-3.4A |
| Výkon | 1.112W |
| Pouzdro | TSOT26 |
| Napětí gate-source | ±20V |
| Odpor v sepnutém stavu | 60/95mΩ |
| Montáž | SMD |
| Druh balení | role |
| Druh balení | páska |
| Výrobce | DIODES INCORPORATED |