GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » Unipolární tranzistory » S kanálem typu P
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMESSM6J502NU |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 3 |
| Výrobce: | TOSHIBA |
Tranzistor P-MOSFET unipolární -20V -6A 1W uDFN6 - Popis produktu
| Typ tranzistoru | P-MOSFET |
|---|---|
| Polarizace | unipolární |
| Napětí drain-source | -20V |
| Proud drainu | -6A |
| Výkon | 1W |
| Pouzdro | uDFN6 |
| Napětí gate-source | ±8V |
| Odpor v sepnutém stavu | 60.5mΩ |
| Montáž | SMD |
| Náboj hradla | 24.8nC |
| Druh balení | role |
| Druh balení | páska |
| Vlastností polovodičových součástek | ESD protected gate |
| Výrobce | TOSHIBA |