[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory

Module IGBT diode/transistor three-phase diode bridge Ic 6A

INFINEON TECHNOLOGIES FP06R12W1T4B3BOMA1 - IGBT modules
Centrální sklad i 22 ks
Čárový kód:
Identifikátor zboží: TMEFP06R12W1T4B3
Balení:
Minimální množství: 1
Výrobce: INFINEON TECHNOLOGIES

810.7 Kč (cena s DPH)
670.0 Kč (cena bez DPH)

Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Množstevní ceny

Množství 2+ ks 24+ ks Více
Cena/ks 634.12 Kč 597.95 Kč Cena dotazem

Množství

Minimální množství: 1


Poplatky za dopravu

Popis produktu

Module IGBT diode/transistor three-phase diode bridge Ic 6A - Popis produktu

ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Type of moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge
TopologyNTC thermistor
Topologythree-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2kV
Collector current6A
CaseAG-EASY1B-1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current12A
Power dissipation94W
TechnologyEasyPIM™ 1B
Mechanical mountingscrew