GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » Moduly IGBT
| Dostupnost | Jen na objednávku |
|---|---|
| Čárový kód: | |
| Identifikátor zboží: | TMEAPT45GP120JDQ2 |
| Balení: | |
| Minimální množství: | 1 |
| Výrobce: | MICROSEMI |
Modul IGBT jeden tranzistor Urmax 1,2kV Ic 34A SOT227B 329W - Popis produktu
| Výrobce | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Typ modulu | IGBT |
| Struktura polovodiče | jeden tranzistor |
| Max. závěrné napětí | 1.2kV |
| Proud kolektoru | 34A |
| Pouzdro | SOT227B |
| Elektrická montáž | přišroubováním |
| Napětí hradlo - emitor | ±30V |
| Impulsní proud kolektoru | 170A |
| Ztrátový výkon | 329W |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Mechanická montáž | přišroubováním |