Darlingtonův tranzistor NPN MJ11016

Ic = 30 A, Pd = 200 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 30 A Uce0 = 120 V, Ucb0 = 120 V, Pd = 200 W, h21E = 200..4500, fT = 4 MHz, Pouzdro = TO3

Čárový kód:
Identifikátor zboží:	GM211-116
Balení:
Minimální množství:	1
Skladem	není skladem
Centrální sklad	99 ks
Výrobce:	ON SEMICONDUCTOR

Množství

Stát:

Poplatky za dopravu

202.3 Kč (cena s DPH)
167.2 Kč (cena bez DPH)

167.1843 Vyberte dopravu (Cena vč. dopravy)

Darlingtonův tranzistor NPN MJ11016 - Popis produktu

Darlingtonův tranzistor NPN - Ic = 30 A, Pd = 200 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 30 A Uce0 = 120 V, Ucb0 = 120 V, Pd = 200 W, h21E = 200..4500, fT = 4 MHz, Pouzdro = TO3

Produkt
Počet
Email